企业信息

    济宁协力特种气体有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:有限责任公司
    成立时间:2008
  • 公司地址: 山东省 济宁 南张镇刘前村
  • 姓名: 殷亚洲
  • 认证: 手机已认证 身份证已认证 微信已绑定

    保山标准气体

  • 所属行业:化工 无机化工原料
  • 发布日期:2025-02-11
  • 阅读量:153
  • 价格:21.00 元/瓶 起
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:9999.00 瓶
  • 包装说明:不限
  • 发货地址:山东济宁  
  • 关键词:保山标准气体

    保山标准气体详细内容

    标准气体安全充装规则

     一、标准气体安全充装规则
    1、标准气充装前应先编制充装程序,确保充装过程安全可行,充装时选择优化的操作工艺,一般按组分浓度和分压,递增的次序充入组分。 2、混合气中含可凝结组分时,充装压力应在较低使用温度下,可凝结组分的分压不**过该温度时其饱和蒸汽压的70%。 3、充装的混合气体应确保组分之间的相容性,禁止充装易燃、易爆范围内的混合气体,不充装易发生化学反应的气体。
    4、含有毒组分的混合气体在充装过程中,管道内的残气禁止排入室内或大气中,必须经解毒或回收处理后才能放空。
    5、不同组分的混合气选用不同材质的气瓶及阀门,对含有腐蚀性组分的混合气应选用不锈钢气瓶及阀门,对含有化学性质活泼组分的气体或分浓度很低的如ppm级混合气,应选用特殊处理的内壁抛光或涂层气瓶。
    二、标准气体充装前,应该对气瓶严格处理
    1、气瓶是否过期、报废,是否已经使用登记;(如过期、报废、未使用登记不得充装)
    2、检查水压记录
    3、瓶瓶身是否完好;(如无明显裂痕,凹陷或凸起不得充装) 

    4、是否有本单位的气瓶信息化标识(电子标签或二维条码);(如没有,不得充装) 

    5、瓶阀是否损坏或漏气;(如损坏或漏气不得充装)
    6、气瓶保压测试。(如气瓶不保压,不得充装)
    气瓶预处理 检查合格的气瓶,接入烘箱内,进行加热抽空处理(一般为80℃,8小时),主要目的是为除去瓶内水分,完成后接入抽真空汇流排,用所需配制气体的稀释气,对气瓶进行多次冲洗及抽真空,去除瓶内其它气体杂质成分。

    气体工业名词术语(标准气体、高纯气体、特种气体)
    1.特种气体(Specialtygases):指那些在特定领域中应用的,对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多,通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等,广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。
    2.标准气体(Standardgases):标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值)准确的测定标准,它们具有复现、保存和传递量值的基本作用,在物理、化学、生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量过程,评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力,确定材料或产品的特性量值,进行量值仲裁等。大型厂、合成氨厂及其它石化企业,在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几百种多组分标准混合气,用来校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测,有毒的**物测量,汽车排放气测试,天然气BTU测量,液化校正标准,**临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、和多元标准气体;配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的较低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。
    3、电子气体(Electronicgases):半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(**大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。
    4.外延气体(Cpitaxialgases):在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即、二氯二硅、三氯硅和,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
    5.蚀刻气体(Etchinggases):蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、、、、三氟等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益广泛。


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